AP2005是SiFotonics采用突破性设计和工艺，结合近十年来的硅光研发技术积累，在标准的CMOS晶圆制造工厂生产。该款产品克服了上一代产品暗电流偏大、响应度偏低的问题，具备高性能、高产量、支持非气密封装等优点，显示出强大的市场竞争力。下图为AP2005的灵敏度测试结果：
Back-to-back sensitivity of Ge/Si APD ROSA
(λ=1309.14nm, ER=9dB, 25.78Gbps, 2^31-1, NRZ, w/o CDR, 25ºC)
此芯片性能明显超过同等测试条件下的25G PIN(-14dBm左右)及25G III-V InP APD(-21dBm左右)，被客户证明为目前业界25G探测器的最高性能。
长期以来，高性能的III-V APD器件一直由日本欧美企业供应，这次25G硅光芯片的极佳性能表现得到了日本顶尖光通信公司的认可和订单，意义非凡。近十年来，硅光技术一直是光电产业的技术热点，很多大公司，如IBM/Intel，均投入大量资源研发，但其市场占有率一直不理想。硅光器件一直试图冲破传统光器件的包围，找到市场的突破点。SiFotonics 25G硅光APD器件AP2005，在性能上超越传统材料APD，是硅光技术的重要里程碑。同时，该产品对日益发展的100G网络也具有重大意义：在很多场合，特别是日益扩展的数据中心需要较长的距离连接，它可以直接取代半导体光放大器(SOA)。25G 硅光 APD可以用于100G ER，100GBASE ER4，100GBASE ER4-lite，长途干线及数据中心等应用领域。
SiFotonics CEO潘栋博士表示：“基于4x25G的100G应用是未来光通信产业的海量市场，也是硅光技术目前的主战场。经过近十年的技术积累，我们的硅光芯片在性能上已逐渐追上并超过III-V芯片，在量产能力、可靠性等方面也已经过市场验证。实际上我们的多款硅光探测器芯片已在大量出货，目前更多的研发力量已投入到硅光集成芯片上。此次的25G APD只是初露锋芒，借助硅基技术强大的技术平台优势，我们不久就会发布更加激动人心的高度光电集成的100G芯片产品。”